○第一級アマチュア無線技士工学○
２０問モード

■3問目 回答結果■
不正解！
正　解：110[μV/m]
時　間：6947秒
正解数：0問

第4問目
R1AUG 次の記述は、電界効果トランジスタ(FET)について述べたものである。□内に入れるべき字句を下の番号から選べ。
(1)トランジスタを大別するとバイポーラトランジスタとユニポーラトランジスタの二つがあり、このうちFETは[ア]トランジスタに属する。また、FETの構造が、金属一酸化膜(絶縁物)一半導体により構成されているものを[イ]形FETという。
(2)シリコン半導体に代わり、化合物半導体の[ウ]仁日を用いたFETは、電子移動度が[エ]、[オ]特性が優れているため、マイクロ波の高出力増幅器等に広く用いられている。

1 低周波
2 接合
3 ユニポーラ
4 大きく
5 ガリウムひ素(GaAs)
6 高周波
7 MOS
8 バイポーラ
9 小さく
10 ニッケルカドミウム（NiCd)

解答は、1-2-3-4-5 のように入力

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